Immagine in evidenza dell'apparato sperimentale per l'effetto magnetoresistivo LEEM-8

Apparecchiatura sperimentale per l'effetto magnetoresistivo LEEM-8

Breve descrizione:

Nota: oscilloscopio non incluso

Il dispositivo è semplice nella struttura e ricco di contenuti. Utilizza due tipi di sensori: un sensore Hall in GaAs per misurare l'intensità di induzione magnetica e un sensore magnetoresistente in InSb per studiare la resistenza a diverse intensità di induzione magnetica. Gli studenti possono osservare l'effetto Hall e l'effetto magnetoresistente dei semiconduttori, caratterizzati da esperimenti di ricerca e progettazione.

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Esperimenti

1. Studiare la variazione di resistenza di un sensore InSb in funzione dell'intensità del campo magnetico applicato; trovare la formula empirica.

2. Rappresentare graficamente la resistenza del sensore InSb in funzione dell'intensità del campo magnetico.

3. Studiare le caratteristiche AC di un sensore InSb sottoposto a un debole campo magnetico (effetto di raddoppio della frequenza).

Specifiche

Descrizione	Specifiche
Alimentazione del sensore magnetoresistenza	0-3 mA regolabile
Voltmetro digitale	intervallo 0-1,999 V risoluzione 1 mV
Milli-Teslametro digitale	intervallo 0-199,9 mT, risoluzione 0,1 mT