Immagine in evidenza dell'apparato sperimentale per effetti magnetoresistivi LEEM-8

Apparecchio sperimentale per effetto magnetoresistivo LEEM-8

Breve descrizione:

Nota: oscilloscopio non incluso

Il dispositivo è semplice nella struttura e ricco di contenuti.Utilizza due tipi di sensori: sensore GaAs Hall per misurare l'intensità dell'induzione magnetica e per studiare la resistenza del sensore di magnetoresistenza InSb a diverse intensità di induzione magnetica.Gli studenti possono osservare l'effetto Hall e l'effetto magnetoresistenza dei semiconduttori, che sono caratterizzati da esperimenti di ricerca e progettazione.

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Esperimenti

1. Studiare la variazione di resistenza di un sensore InSb rispetto all'intensità del campo magnetico applicato;trova la formula empirica

2. Tracciare la resistenza del sensore InSb rispetto all'intensità del campo magnetico.

3. Studiare le caratteristiche AC di un sensore InSb sotto un debole campo magnetico (effetto di raddoppio della frequenza).

Specifiche

Descrizione	Specifiche
Alimentazione del sensore di magnetoresistenza	0-3 mA regolabile
Voltmetro digitale	range 0-1.999 V risoluzione 1 mV
Milliteslametro digitale	range 0-199,9 mT, risoluzione 0,1 mT