Immagine di presentazione dell'apparato sperimentale LEEM-10A delle caratteristiche della giunzione PN

Apparecchio sperimentale LEEM-10A delle caratteristiche di giunzione PN

Breve descrizione:

introduzione

Le proprietà fisiche della giunzione PN a semiconduttore sono uno degli importanti contenuti di base della fisica e dell'elettronica.Questo apparato utilizza il metodo dell'esperimento fisico per misurare la relazione tra la corrente di diffusione della giunzione PN e la tensione, dimostra che questa relazione segue la legge della distribuzione esponenziale e misura più precisamente la costante di Boltzmann (una delle costanti importanti in fisica), che consente gli studenti per imparare un nuovo metodo per misurare la corrente debole.Questo apparato fornisce un termostato a temperatura alternata riscaldatore per misurare la relazione tra la tensione di giunzione PN e la temperatura termodinamica T, in modo da ottenere la sensibilità del sensore, e approssimare per ottenere il gap energetico del materiale di silicio a 0K.Questo apparato è stabile e affidabile e presenta abbondanti contenuti di esperimenti fisici, un concetto chiaro, un design strutturale ragionevole e risultati di misurazione ad alta precisione.Questo apparato è utilizzato principalmente in esperimenti fisici generali e esperimenti di ricerca di progettazione in college e università.

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Esperimenti

1. Si misura la relazione tra la corrente di diffusione della giunzione PN e la tensione di giunzione e si dimostra che tale relazione segue la legge della distribuzione esponenziale attraverso l'elaborazione dei dati;

2. La costante di Boltzmann viene misurata in modo più accurato (l'errore deve essere inferiore al 2%);

3. Impara a usare l'amplificatore operazionale per formare un convertitore di corrente-tensione per misurare la corrente debole da 10^-6Da A a 10^-8A;

4. Viene misurata la relazione tra la tensione di giunzione PN e la temperatura e viene calcolata la sensibilità della tensione di giunzione alla temperatura;

5. Approssimativo per calcolare il gap energetico del materiale semiconduttore (silicio) a 0K.

Indici tecnici

1. Alimentazione CC

Un alimentatore regolabile 0-1,5 V CC;

Un alimentatore CC regolabile 1mA-3mA.

2. Modulo di misurazione LCD

Rapporto di risoluzione LCD: 128×64 pixel

Due indicatori digitali di tensione Gamma: 0-4095mV, Rapporto di risoluzione: 1mV

Intervallo: 0-40,95 V, Rapporto di risoluzione: 0,01 V

3. Dispositivo sperimentale

È composto da amplificatore operazionale LF356, presa connettore, potenziometro multigiro, ecc. TIP31 e triodo tipo 9013 sono collegati esternamente.

4. Riscaldatore