Apparecchio sperimentale a effetto magnetoresistivo LEEM-8
Nota: oscilloscopio non incluso
Il dispositivo è semplice nella struttura e ricco di contenuti. Utilizza due tipi di sensori: il sensore GaAs Hall per misurare l'intensità di induzione magnetica e per studiare la resistenza del sensore di magnetoresistenza InSb a diverse intensità di induzione magnetica. Gli studenti possono osservare l'effetto Hall e l'effetto magnetoresistenza dei semiconduttori, che sono caratterizzati da esperimenti di ricerca e progettazione.
Esperimenti
1. Studiare la variazione di resistenza di un sensore InSb rispetto all'intensità del campo magnetico applicato; trova la formula empirica.
2. Tracciare la resistenza del sensore InSb rispetto all'intensità del campo magnetico.
3. Studiare le caratteristiche AC di un sensore InSb sotto un campo magnetico debole (effetto di raddoppio della frequenza).
Specifiche
Descrizione | Specifiche |
Alimentazione del sensore magneto-resistenza | 0-3 mA regolabile |
Voltmetro digitale | range 0-1.999 V risoluzione 1 mV |
Milli-Teslametro digitale | range 0-199,9 mT, risoluzione 0,1 mT |